基于nRF24LE1的高压开关柜动静触头无线温度监测系统设计

介绍了利用nRF24LE1无线收发芯片,实现对高压开关柜触头的温度监控,其测温终端直接安装在高压带电部分,实现等电位工作,实测温度通过无线方式传输给监测主机,解决了高压绝缘问题;整套监测系统由温度监测终端、监测主机和系统PC机构成,实现了高压触头温度的实时监测,保证了电力高压开关的可靠运行.     

瞬变电磁法在探测底板赋水性中的应用

为了充分了解矿井主井车场绕道底板及东侧80 m范围内岩层赋水性,确保中央水仓和中央石门掘进安全。采用加拿大产PROTEM47矿井瞬变电磁系统,通过共面偶极观测方式布置线圈,对主井井筒北绕道底板和侧帮赋水性进行了探查,取得了较好的探查效果,为矿井的建设提供了可靠的技术支持。瞬变电磁法具有对低阻体反映灵敏、分辨率较高,用于对赋水性探测具有其它物探方法不可比拟的优点。同时瞬变电磁法还具有施工方便、高效、成本低、对地形地物条件要求小等优点。     

几种环境因子对厚壳贻贝浮游幼虫生长与存活的影响

研究了在室内控制条件下,海水盐度、温度、pH对厚壳贻贝浮游幼虫生长和存活的影响。结果表明,厚壳贻贝浮游幼虫生长的适宜盐度在15～35,最适生长盐度在25～35之间,适宜温度为15～30℃,最适生长温度在20～25℃,适宜pH为6.00～9.00,最适pH为8.00左右。     

贵州省大学生学业倦怠调查研究

采用大学生学业倦怠调查问卷,对贵州省部分高校大学生进行调查,研究表明贵州省大学生存在一定程度的学业倦怠。男大学生在倦怠的三个维度上与女大学生达到显著水平,男大学生在身心耗竭和学业疏离方面高于女生,女生在低成就感方面高于男生;理科大学生学业倦怠程度明显高于文科和体艺科大学生;不同民族、生源地和年级学生在学习倦怠及各维度上没有显著差异。     

砌体墙片抗震破坏有限元分析

为研究既有砌体墙片的抗震破坏性能,在水平低周反复荷载实验基础上,利用ANSYS有限元软件,建立砌体墙片有限元计算模型,并进行低周反复荷载下抗震破坏有限元分析。结果表明,不同高宽比的砌体墙片破坏形态不同,高宽比为0.6的砌体墙片的破坏形态是弯剪型破坏,高宽比为1.0和1.2的砌体墙片的破坏形态是剪切型破坏。墙体裂缝大致为交叉斜裂缝。实验结果验证了有限元分析方法的可行性。     

淬火介质对稀土低合金铸钢组织及性能的影响

对稀土低合金铸钢材料采用水淬存在开裂、油淬存在成本高等问题,通过实验研制了一种介于水和油之间且性能稳定、配制简单、价格低廉的淬火介质。结果表明,对稀土低合金铸钢材料,用聚乙烯醇溶液为淬火介质,得到了板条马氏体＋针状马氏体＋残余奥氏体,材料的平均硬度为55.7HRC,耐磨性最好,可以代替淬火油。该介质安全实用,生产成本低,使试件耐磨性良好。     

PVP与表面活性剂混合模板对CaCO3结晶的调控作用

聚乙烯吡咯烷酮(PVP)分别与十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、十二烷基硫酸钠(SDS)组成混合模板,在CaCl2、Na2CO3体系中调控合成CaCO3晶体,考察结晶温度对CaCO3晶体的影响。采用电导率法确定混合模板中表面活性剂的使用浓度。通过扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)及X线衍射仪(XRD)对晶体的形貌和结构进行表征。结果表明:SDS与CTAB结合到PVP长链上的浓度分别为2.4和1.1 mmol/L。在PVP-CTAB模板中,5℃时为方解石的层状CaCO3聚集体,25℃时有部分球形球霰石出现,90℃时得到了棒状文石晶体。在PVP-SDS模板中,5和25℃时均为方解石型球状CaCO3聚集体,90℃时得到棒状文石晶体。     

低压电场对污泥分离短程化的最佳条件

研究了电场处理污泥分离短程化.通过实验考察了污泥沉降效果受污泥浓度MLSS、电极入水深度L和电压U等因素的影响.由正交实验确定了污泥沉降效率的最佳条件.结果表明,MLSS=3.7g/L、L=15cm、U=53V时,所得到的污泥沉降效果较好,沉降效率η=46.2%,促沉效果随MLSS的增大而变差,L为量筒液面总高度50%左右时促沉效果较好,浓度不同对应的最佳沉降时的电压也不同.经过电场处理后的出水水质比未经处理的要好,且活菌数量较未处理时要多一些.     

用逐步稳态替换法确定低渗油藏合理井距

以杨清立提出的非线性渗流连续模型及最新试验数据为基础,利用逐步稳态替换法确定低渗透油藏的合理井距,分析启动压力梯度和驱动压差对合理井距的影响.结果表明:启动压力梯度对合理井距有较大影响,启动压力梯度越大,合理井距越小;启动压力梯度较小时,增大驱动压差可以增大注采井距;启动压力梯度较大时,驱动压差的影响不大,需要采取压裂...     

X波段低噪声放大器设计

从获取最小噪声系数角度来进行电路设计,采用Avago公司的0.2um GaAs pHEMT工艺芯片(T=18GHz),设计了工作于X波段(9-11GHz)的两级宽带低噪声放大器。测试结果为:在9-11GHz,噪声系数小于1.15dB,最小噪声系数在9.8GHz为1.015dB,功率增益在所需频段9-11GHz大于24dB,输入和输出回波损耗均小于-10dB。